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工頻介電常數介質損耗測試儀

型 號GDAT-A

更新時間2024-11-20

廠商性質生產廠家

報價

產品描述:工頻介電常數介質損耗測試儀用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。主要用于測量高壓工業絕緣材料的介質損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經典線路。主要可以測量電容器,互感器,變壓器,各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質損耗( tgd)和電容量( Cx)以,其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適應測量各類絕緣

產品概述

GDAT-A型介電常數介質損耗測試儀遵從標準:GB/T5594.4-1985/GB/T 1409用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

一、介電常數介質損耗測試儀儀器的技術指標

1.Q值測量

a.Q值測量范圍:5~999。

b.Q值量程分檔:30、100、300、999、自動換檔。

c.標稱誤差

      頻率范圍:25kHz~10MHz;

      固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;

      頻率范圍:10MHz~50MHz;

      固有誤差:≤7%±滿度值的2%;工作誤差:≤10%±滿度值的2%。

2.電感測量

a.測量范圍:0.1μH~1H。

b.分    檔:分七個量程。

      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,

      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。

3.電容測量

a.測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規則);

b.電容量調節范圍

      主調電容器:40~500pF;

      準  確  度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;

      微調電容量:-3pF~0~+3pF;

      準  確  度:±0.2pF。

4.振蕩頻率

a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;

b.頻率分檔:

25~74kHz,    74~213kHz,    213-700kHz,    700kHz~1.95MHz,

1.95MHz~5.2MHz,    5.2MHz~17MHz,    17~50MHz。

c.頻率誤差:2×10-4±1個字。

5.Q合格指示預置功能,預置范圍:5~999。

6.儀器正常工作條件

a. 環境溫度:0℃~+40℃;

b.相對濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。   

7.試樣尺寸

圓片形:厚度2+0.5mm,直徑為Φ30~40mm(ε<12時),Φ25~35mm(ε=12~30時),Φ15~20mm(ε>30時)

8.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

二、介電常數介質損耗測試儀實驗步驟

1.本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電,使用前要檢查市電電壓是否合適,采用穩壓電源,以保證測試條件的穩定。

2.開機預熱15分鐘,使儀器恢復正常狀態后才能開始測試。

3.按部件標準制備好的陶瓷試樣,兩面用燒滲法被上銀層,并分別焊上一根Φ0.8mm,30~40mm長的金屬引線。引線材料為銅,表面鍍銀并浸錫。

4.選擇適當的輔助線圈插入電感接線柱。根據需要選擇振蕩器頻率,調節測試電路電容器使電路諧振。假定諧振時電容為C1,品質因素為Q1。

5. 將被測樣品接在“CX”接線柱上。

6.再調節測試電路電容器使電路諧振,這時電容為C2,可以直接讀出Q2,并且Q2= Q1-△Q,。

7.用游標卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測得兩個數據,再取其平均值)。

8.方形式樣按其邊長的4倍計算Φ值 

三、介電常數介質損耗測試儀注意事項:

1.圓片形試樣的尺寸(Φ=38mm+1mm,d=2mm+0.5mm)要符合公差要求,兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術條件。

2.電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡,所以測定時,電壓和頻率要求穩定,電壓變動不得大于1%,頻率變動不得大于0.5%。

3.電極與試樣的接觸情況,對tanδ的測試結果有很大影響,因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。

4.試樣吸濕后,測得的tanδ值增大,影響測量精度,應嚴格避免試樣吸潮。

5.在測量過程中,注意隨時檢查電橋本體屏蔽的情況,當電橋真正達到平衡,“本體-屏蔽”開關置于任何一邊時,檢查計光帶均應zui小,而無大變化

四、介電常數介質損耗測試儀

附表一  LKI-2電感組,GDAT-C選配電感

電感No

電感量

準確度%

Q值≥

分布電容約略值

10

250mH

±5

50

15pF

9

25mH

±5

70

10pF

8

5mH

±5

100

10pF

7

1mH

±5

100

14pF

6

250μH

±5

150

9pF

5

50μH

±5

150

12pF

4

10μH

±5

150

7pF

3

2.5μH

±5

150

7pF

2

0.5μH

0.05μH

200

5pF

1

0.1μH

0.05μH

100

5pF

 

 

 

 

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